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不锈钢法兰厂家许多新的应用需要较低的沉积沮度。由于是电子工业重要的材料,节也对其进行了讨钨钨膜应用范围从磨损和腐蚀防护到电子仪器里的导电层和扩散阻挡层。者的应用实例包括集成电路中的连线孔和插塞,在品体管、电阻接触和相互连接方面它们被用作源、漏和栅的金属镀层。接触使得硅水平级的器件 和层金属间。通孔使续的金属层间,钨具有许多吸引人的电学、力学和学能。钨具有优异的抵抗电迁移在高电流密度下,由流动的电子所施加的力驱动金属原子沿着晶界的传输的能力。此外,钨具有较小的热膨胀系数能与很好地匹配并与硅形成个稳定的界面,已在互连水平 成功开发出低电阻系数约为·的钨薄膜来替代高电阻系数约为μΩ·的掺杂多晶硅。在互连水平,已使种金属与硅、多晶硅和像这样的材料形成接触,在硅进行种选择和自还原,钨的通常由硅烷或者氢气还原来进行。和 近对钨的沉积进行了综述。由于钨和铝在以下不发生反应,对于间的相互作用钨展示了很好的阻挡能,只有在非常高的温度下才会形成硅钨和出现界面。钨已经在某些互连方案的关键领域取代了铝。然而由于钨的电阻较高在覆盖长距离的况下还不能取代铝已经被广泛用来沉积钨膜,但是,由于小征尺寸不断变小,因此的正在逐渐减小。除非在较高的基体温度下沉积钨薄膜的电阻率要明显高于钨块体相,而且通常所观察到的保形差阶梯覆盖度, 也是个严重的缺点。由于技术具有遮避效应,它在高深宽比的亚微米结构上沉积薄膜时会不可避免地产生孔洞
另方面钨的学气相沉积有好的保形,能够很容易填充集成电路里的接触孔。钨通常是先沉积成全覆盖的薄膜 ,然再刻蚀成钨插塞 。钨的刻蚀工艺原理所示。由于更严格的平整要求,学机械抛光 ,将来可能会取代凹刻蚀工艺 ,选择的填充接触孔或者通孔是种解决办法,通过完全填充较浅的孔和分填充较深的孔可以避免凹刻蚀步骤覆盖涂层填平刻蚀在集成电路里形成插塞的凹刻蚀工艺示意钨作为的前驱体卤钨,容易合成,容易得到并且具有足够高的蒸气压进行钨的工艺。列出些卤钨的物理能。不锈钢法兰厂家为了获得低的沉积温度,常使用的钨的工艺是用,作还原剂来还原在常温下是气体时的蒸气压为,这是相对于其他钨前驱体的个重要的优点,因为具有八面体结构的卤钨这地方便将前驱体传输到反应室并且获得潜和在的高沉积速率。
该方程可正确地预言所观察到的氢气压力关系,并且对于压力给出个非常低的方次数。典型况下,的变为个数量级,但是,不锈钢法兰厂家该数值对于区分在次和次动力学还不够充分,当压力降低到与的压力可比较时,可观察到沉积速率已降为这是因为氢的学吸附已被完全冻结,而且面已被所吸附的饱和。